Транзистор Дарлингтона (Д) будет шуметь по причине того, что ток первого транзистора равен току всего Д, делённому на Bст второго, т.е. при рабочем токе 1мА получаем ток первого транзистора примерно 3-10 мкА. В большинстве применений это очень невыгодный режим в смысле шумов. Ну, такой микротоковый режим оптимален для работы от какого-то очень высокоомного источника, но в этом случае меньший шум получится с ПТ.
Добавление всего одного резистора в несколько кОм между Б и Э второго тр-ра снижает шум почти в 10 раз при работе от низкоомного источника (Микрокап). Заодно, сильно улучшатся ВЧ-хар-ки за счёт форсирования закрытия второго тр-ра. Естественно, внедрить такой резистор в интегральный Д не получится, а, вот, на рассыпухе собрать можно.
Хотя, я бы всё-таки измерил шум (или послушал), чтобы понять, как там на самом деле с этими Д.
