Gtlab Forum

Тематический => Негитарная электроника => Тема начата: Добрый Кот от Сентября 06, 2016, 05:18:28 am

Название: Симуляция NAND
Отправлено: Добрый Кот от Сентября 06, 2016, 05:18:28 am
Всем доброго дня.

Делаю лабораторную работу в ВУЗе. Собрали осциллятор состоящий из петли трёх инверторов на элементах И-НЕ CD4011 с закорочеными входами.
В лаборатории при питании 5в получили частоту 3.285MHz. Получили задание сделать симуляцию. Работаю с ltspice. Там есть идеальная модель инвертора. Попытался приблизить его к результатам лаборатории, добавил выходное сопротивление 0.4в/88мА=455ом (падение напряжения на элементе при заданном токе из датащита) и удвоеную входную ёмкость. Получил частоту почти на порядок выше - 50МГц. В датащите больше ничего не нашёл. Подскажите пожалуйста что я не учёл?

Датащит: https://www.fairchildsemi.com/datasheets/CD/CD4001BC.pdf
ЗЫ. Я понимаю, что любой элемент это сложная эквивалентная электрическая схема. Мне нужна подсказка по упрощённому варианту, что бы выйти приблизительно на частоту получную в лаборатории.

(https://guitartonelab.ru/proxy.php?request=http%3A%2F%2Fi.imgur.com%2FU7ecY7S.png&hash=795ffa87c739ba53a0db8d22237328feb560d6fb)
Название: Re: Симуляция NAND
Отправлено: new_man от Сентября 06, 2016, 06:35:30 am
Введи задержку распространения, примерно 50 нС на элемент.
Название: Re: Симуляция NAND
Отправлено: Добрый Кот от Сентября 06, 2016, 10:57:48 am
Цитировать
Введи задержку распространения, примерно 50 нС на элемент.

Ну это как говорится и козе ферштейн. Я думал, может чего то не доглядел в даташите.
Название: Re: Симуляция NAND
Отправлено: KMG от Сентября 06, 2016, 11:30:04 am
Цитировать
Введи задержку распространения, примерно 50 нС на элемент.
Propagation Delay Time при 5 В отнюдь не 50 нС.
А такой параметр не забыл?
Cin Average Input Capacitance Any Input
Typ=5pF
Max=7.5pF
При спараллеленных входах умножаем на 2.
https://www.fairchildsemi.com/datasheets/CD/CD4001BC.pdf
Название: Re: Симуляция NAND
Отправлено: new_man от Сентября 06, 2016, 12:48:51 pm
Цитировать
Propagation Delay Time при 5 В отнюдь не 50 нС.
Михаил, давай определимся, что в данном случае считать истинным: данные натурного эксперимента, или цифры даташита. Данные эксперимента имеют связь с конкретной микросхемой непосредственную, в отличие от даташита. Он ведь, строго говоря, не для этой микросхемы был составлен.
Если в натуре микросхема сгенерировала 3 МГц, значит сумма задержек в данной микросхеме 300 нс. Задержки на входных емкостях не в счет, они может добавят к общему времени пару процентов.
Всего задержек шесть, так что по 50 нс на каждую.
ТС ведь хотел
Цитировать
приблизить его к результатам лаборатории
- ну вот способ приближения.
Цитировать
Ну это как говорится и козе ферштейн.
Был бы совсем ферштейн - ты бы уже ввел эти задержки из даташита и сейчас ломал бы голову, почему частота в симуляторе в два раза ниже лабораторной.
Название: Re: Симуляция NAND
Отправлено: Добрый Кот от Сентября 06, 2016, 02:37:44 pm
Цитировать
Цитировать
Введи задержку распространения, примерно 50 нС на элемент.
Propagation Delay Time при 5 В отнюдь не 50 нС.
А такой параметр не забыл?
Cin Average Input Capacitance Any Input
Typ=5pF
Max=7.5pF
При спараллеленных входах умножаем на 2.
https://www.fairchildsemi.com/datasheets/CD/CD4001BC.pdf

Так я же максимальный сдвоеный 15пФ и поставил на каждый вход.