Gtlab Forum
Тематический => Негитарная электроника => Тема начата: DDD от Января 11, 2018, 10:54:11 am
-
Есть ли кого-нибудь реальный опыт использования маломощных БТ в инверсном включении (коллектор и эмиттер меняются местами)?
Интересуют следующие вопросы в рамках усиления переменного напряжения:
1) Во сколько раз падает "бета" по сравнению с прямым включением?
2) Как обстоит дело с шумами?
3) Как ведет себя обратно-смещенный эмиттерный переход при напряжении на нем больше 5-6 Вольт (типичные максимальные значения для большинства маломощных БТ)?
4) Можно ли засимить это дело в симуляторе? (знаю, что нельзя... а вдруг...?)
-
Может это во флуде рассмотреть? :D
-
1. Катастрофически.
2. Х.З.
3. Не пробивается.
4. Х.З.
-
1. Катастрофически.
...
Катастрофы тут особой я не вижу: ищу для фузза низко-гейновую замену транзисторам BC850C и BC860C, с коими давно и успешно дружу.
С другой стороны, неохота плодить номенклатуру, и вот я и подумал, что эти же самые BC850C и BC860C, будучи включены инверсно, как раз могут (или не могут?) подойти для этого дела.
В том же самом скандально известном Fuzz War молодчики из Sonic Youth по одной из версий поставили транзисторы раком инверсно, и получилось интересно.
-
На мой взгляд звук Fuzz War ужасен. Но не настаиваю. :)
По моим старым записям (мерил 2SC945) входное сопротивление каскада 2 КОм, выходное 200 КОм, крутизна передачи 1,7 мА/В. Каскад усиления, будучи нагружен на такой-же, имеет к-т усиления 3,5-4.
-
"...входное сопротивление каскада 2 КОм, выходное 200 КОм..." - это схема ОЭ с эмиттером непосредственно на земле (по переменке) и резистором ~400кОм в коллекторе?
Типа как раз каскад из Fuzz War?
А можно ли схему каскада поподробнее описать?
-
1) Во сколько раз падает "бета" по сравнению с прямым включением?
Зависит от типа транзистора - потому тупо садиться и мерять.
Как обстоит дело с шумами?
В абсолютном значении может и упасть - но вследствие катастрофического падения усиления Кш падает так же катастрофически.
Как ведет себя обратно-смещенный эмиттерный переход при напряжении на нем больше 5-6 Вольт (типичные максимальные значения для большинства маломощных БТ)?
Вопрос непонятен.
Можно ли засимить это дело в симуляторе? (знаю, что нельзя... а вдруг...?)
Надо экспериментировать - в принципе это несложно.
Накопать инфу из литературных источников вряд ли удастся - слишком специфическое дело.
ХИНТ: спайс позволяет создать модель любого элемента - потому, если очень приспичило, то можно нарисовать математическую модель, предварительно выбрав и обмеряв кандидатов.
Главное - не расчитывать на встроенные модели транзисторов. Или начать с того, что б проверить их и сравнить с реальностью и в таком кривом случае.
Но во всяком случае нарисовать мат-модель можно - это факт.
-
3. Не пробивается.
Хе-хе.
Так и в прямом включении не пробиваются - можно киловольты подавать :o
-
А можно ли схему каскада поподробнее описать?
Коллектор на земле.
С базы 510 КОм на плюс.
С эмиттера 62 КОм на плюс.
На эмиттере полпитания, т.е. ток эмиттера 75 мкА.
-
"... Как ведет себя обратно-смещенный эмиттерный переход при напряжении на нем больше 5-6 Вольт?" - в схеме с 9-Вольтовым питанием напряжение на эмиттерном переходе инверсно включенного транзистора может достигать 18-ти Вольт без малого.
В то же время, максимально "допустимое" напряжение база-эмиттер составляет 5-6 Вольт для типичного малохольного БТ, дальше, как правило, начинается пробой.
Если ток пробоя ограничен, то ничего летального не происходит, ессно, однако форма сигнала тут будет йо-ой-ой...
На картинке справочник по упомянутому выше 2SC945 (весьма типичный маломощный БТ).
(https://i.imgur.com/y4lLjCV.png)
-
Помнится мне , что 2Т208 -е в инверсном включении Ку- 15-17 , мп39 - 5-6 , 2N5088 чёт около 10 . Давно было ....
-
Как обстоит дело с шумами?
В абсолютном значении может и упасть - но вследствие катастрофического падения усиления Кш падает так же катастрофически.
А почему усиление упадёт, да ещё катастрофически?
А почему Кш падает, и тоже катастрофически? Другими словами, каким образом Кш связан с Кус?
-
Я тоже нифига не понял про Кш... И нафига надо писать на полстраницы текст с единственным банальным смыслом "надо экспериментировать", хотя вопрос был про ПРАКТИЧЕСКИЙ ОПЫТ?
ИМХО чистейшей воды флуд, в лучшем случае бессмысленный.
Коллега Ператрон, пожалуйста, удалите Ваш ответ, и, прошу Вас впредь воздержаться от подобного.
-
Во флуде можно и по фантазировать насчёт поменять местами Б-К, Б-Э, БКЭ :D
-
Вот практическое применение инверсного включения транзисторов . Пока на испытаниях на студии .
-
Во сколько раз падает "бета" по сравнению с прямым включением?
Нет такой зависимости - "во сколько". Для обычных транзисторов где-то пару десятков и далее вниз до неизмеряемой обычными приборами величины. Хотя, прямой Hfe может быть при этом и 50, и 2000.
ищу для фузза низко-гейновую замену транзисторам BC850C и BC860C, с коими давно и успешно дружу.
С другой стороны, неохота плодить номенклатуру, и вот я и подумал, что эти же самые BC850C и BC860C, будучи включены инверсно, как раз могут (или не могут?) подойти для этого дела.
Кус каскада будет примерно одним и тем же что в прямом, что в инверсном включении (в инв. где-то на 15-20% меньше). Напомню, усиление каскада в учебниках (в теории) всегда рассматривается при работе от источника сигнала с нулевым сопротивлением и без нагрузки. Другое дело, из-за малого усиления по току сильно падает входное сопротивление каскада. Поэтому, при работе с реальными источниками (или предшествующими каскадами усиления) Кус ВСЕЙ СХЕМЫ падает по причине бОльшего делителя r_источника/r_вх. Если же перед каскадом стоит повторитель, то усиление приближается к макс. (теоретическому) значению. Это по поводу "катастрофического падения усиления".
DDD, т.е. в вашем случае инверсное включение будет эквивалентно обычному включению, но с низкоомными резисторами смещения, которые и будет грузить предыдущий каскад, снижая общий Кус схемы. Либо, можно рассматривать ситуацию как возврат на полвека назад, когда схемотехника строилась в расчёте на транзисторы с малым Hfe. В этом смысле, это можно назвать и "низкогейновой заменой".
Про шум. Специально не исследовал, но в составе фуза ничего такого криминального не услышал.
Картинка во вложении - результат экспериментов со времён Fuzz War-эпидемии. Юзал 2SC1815GR. Прямой Hfe моих экземпляров был, как помнится, 300-400, инверсный 4...20. На входе стоит ОУ-повторитель для того, чтобы r_вх не влияло на результат. Подстроечником выставляется одно и то же напр. на коллекторе (в данном случае 4,5 В) - это важно для корректного сравнения. Дело в том, что усиление каскада по схеме с заземлённым эм. пропорционально падению на R_коллект. В схеме с ООС (R в эмиттере) зависимость уменьшается, но всё равно имеется.
ПС. Почитайте на досуге книгу Инверсное включение транзистора (https://app.box.com/s/06m8b0y4qfy7ftykeo0rkvvspy6ziijd)
ППС.
Можно ли засимить это дело в симуляторе? (знаю, что нельзя... а вдруг...?)
Только что попробовал - DC и Transient немного похоже на правду (плюс-минус лапоть), AC вообще криво (-1000 dB). Кстати, можно попробовать забить мою схему, и сравнить, если не лень.