Вспомнил! Можно заюзать Б-Э переход Si-транзистора, включив его в обратном направлении, для n-p-n транзистора это Б на "-", Э на "+". Напряжение стабилизации зависит от экземпляра, для КТ315 я подбирал от 6...7В (редкие), около 8-9В - много экземпляров. Громадное преимущество - стабилизация наступает примерно от 20...30 мкА, высокая температурная стабильность, недостаток - необходимость подбора. Если будет немножко не хватать U_стаб, можно "добрать" прямосмещёнными диодами из расчёта примерно 0,55В на диод при маленьком токе. Правда, так немного снизится темп. стабильность, но здесь это не важно.