Я к тому, что Rds у 6N80C выше, т.е. по идее он должен больше греться или это при наших токах в 60мА в расчет вообще можно не брать?
Внимательно посмотрите даташиты - при каких условиях намерены эти Ом-ы. Напряжение на затворе выше ("плюсее") истокового аж на 10 В, ток - амперы. Т.е. транзистор полностью открыт. У Вас и близко нет таких режимов - что в дросселе, что в буфере. Зато ёмкости у 6N80 меньше.
А эти Ом-ы /мОм-ы имеют значение только для переключательных схем, когда МОСФЕТ полностью открывается, и в этом случае действительно, чем меньше R_си, тем меньше потери.
Пишут, что тот самый "электронный дроссель" оптимально подходит для схем с постоянным токопотреблением, т.е., например, для питания двухтактного усилка его применение уже будет не оптимальным?
Почитать бы, чем они это аргументируют; возможно, там фигурируют какие-то хайэндные соображения. Например, в некоторых ревизиях советского усилителя ЗУ-430 (пушпул на 6П3С) вместо железного дросселя применена подобная схема на транзисторе (П4, кажется) - всё работает как надо. Кстати, у меня именно такой усилитель.
