2Ал-ндр.
Насчет динамической нагрузки думаю, что ничего хорошего не получится.
Во-первых это уже есть. В схеме Toneczar Openhouse стоит каскад на Ge-транзисторе с дин. нагрузкой на ПТ. Я его макетировал, он мне не понравился, транзистор входит в насыщение.
А если избегать насыщения, то задача становится практически невыполнимой.
Я тут нарисовал чертежик, по нему буду рассуждать.
[/URL][/img]
Вот выходные характеристики транзистора. Левее линии AB область насыщения, туда попадать не надобно. Линия MN это линия максимального тока, который может отдать транзистор при включении его по схеме #51. Imax=(Ud-U(b-e))/Re, около 0.8 мА. Синеньким выделена область между MN и PQ, где происходит ограничение по входу за счет открытия диода (диодом служит транзистор, но это ничего не меняет). C-рабочая точка, BE-нагрузочная линия при работе на резистор. Положение точки B наивыгоднейшее, усиление максимально при отсутствии насыщения.
Если теперь не меняя рабочей точки ввести динамическую нагрузку (ее символизирует линия GD), то ничто не мешает транзистору влетать в насыщение по полной, что линия GD и показывает. Чтобы его избежать, нужно рабочую точку смещать вверх до тех пор, пока точка G не совместится с точкой B, а нагрузочная линия займет положение BF.
Но это та область, где входной диод (особенно вблизи точки B) уже вовсю открыт и образует с выходным сопротивлением источника сигнала и доп. резистором мощный делитель, который сведет на нет все усилия по увеличении передачи (а других резонов введения динамической нагрузки я не вижу).
Я уж не говорю о музыкальной стороне дела. Сигнал весь попадает в зону клиппирования диодом.
Но это еще семечки. Из-а большой величины динамического сопротивления зона существования такого режима ничтожно узка и требует к себе прецизионную, бзынерционную и учитывающую тепловой дрейф характеристик транзистора систему стабилизации. Я такой схемотехнике не обучен.
Ну вот, кучу навертел, а можно было бы в двух словах: теоретически выигрыш сомнителен, а практически невозможно.
