Автор Тема: Симуляция NAND  (Прочитано 2005 раз)

0 Пользователей и 1 Гость просматривают эту тему.

Добрый Кот

  • Global Moderator
  • *****
  • Сообщений: 1030
  • GtLab.Net forever!
    • Просмотр профиля
    • E-mail
Симуляция NAND
« : Сентября 06, 2016, 05:18:28 am »
Всем доброго дня.

Делаю лабораторную работу в ВУЗе. Собрали осциллятор состоящий из петли трёх инверторов на элементах И-НЕ CD4011 с закорочеными входами.
В лаборатории при питании 5в получили частоту 3.285MHz. Получили задание сделать симуляцию. Работаю с ltspice. Там есть идеальная модель инвертора. Попытался приблизить его к результатам лаборатории, добавил выходное сопротивление 0.4в/88мА=455ом (падение напряжения на элементе при заданном токе из датащита) и удвоеную входную ёмкость. Получил частоту почти на порядок выше - 50МГц. В датащите больше ничего не нашёл. Подскажите пожалуйста что я не учёл?

Датащит: https://www.fairchildsemi.com/datasheets/CD/CD4001BC.pdf
ЗЫ. Я понимаю, что любой элемент это сложная эквивалентная электрическая схема. Мне нужна подсказка по упрощённому варианту, что бы выйти приблизительно на частоту получную в лаборатории.


« Последнее редактирование: Сентября 06, 2016, 05:20:07 am от kote »

new_man

  • Сообщений: 2053
  • GtLab.Net
    • Просмотр профиля
    • E-mail
Re: Симуляция NAND
« Ответ #1 : Сентября 06, 2016, 06:35:30 am »
Введи задержку распространения, примерно 50 нС на элемент.

Добрый Кот

  • Global Moderator
  • *****
  • Сообщений: 1030
  • GtLab.Net forever!
    • Просмотр профиля
    • E-mail
Re: Симуляция NAND
« Ответ #2 : Сентября 06, 2016, 10:57:48 am »
Цитировать
Введи задержку распространения, примерно 50 нС на элемент.

Ну это как говорится и козе ферштейн. Я думал, может чего то не доглядел в даташите.

KMG

  • Сообщений: 3776
    • ICQ клиент - 412221711
    • AOL клиент - Mike
    • Просмотр профиля
    • E-mail
Re: Симуляция NAND
« Ответ #3 : Сентября 06, 2016, 11:30:04 am »
Цитировать
Введи задержку распространения, примерно 50 нС на элемент.
Propagation Delay Time при 5 В отнюдь не 50 нС.
А такой параметр не забыл?
Cin Average Input Capacitance Any Input
Typ=5pF
Max=7.5pF
При спараллеленных входах умножаем на 2.
https://www.fairchildsemi.com/datasheets/CD/CD4001BC.pdf
« Последнее редактирование: Сентября 06, 2016, 11:32:26 am от mike »

new_man

  • Сообщений: 2053
  • GtLab.Net
    • Просмотр профиля
    • E-mail
Re: Симуляция NAND
« Ответ #4 : Сентября 06, 2016, 12:48:51 pm »
Цитировать
Propagation Delay Time при 5 В отнюдь не 50 нС.
Михаил, давай определимся, что в данном случае считать истинным: данные натурного эксперимента, или цифры даташита. Данные эксперимента имеют связь с конкретной микросхемой непосредственную, в отличие от даташита. Он ведь, строго говоря, не для этой микросхемы был составлен.
Если в натуре микросхема сгенерировала 3 МГц, значит сумма задержек в данной микросхеме 300 нс. Задержки на входных емкостях не в счет, они может добавят к общему времени пару процентов.
Всего задержек шесть, так что по 50 нс на каждую.
ТС ведь хотел
Цитировать
приблизить его к результатам лаборатории
- ну вот способ приближения.
Цитировать
Ну это как говорится и козе ферштейн.
Был бы совсем ферштейн - ты бы уже ввел эти задержки из даташита и сейчас ломал бы голову, почему частота в симуляторе в два раза ниже лабораторной.

Добрый Кот

  • Global Moderator
  • *****
  • Сообщений: 1030
  • GtLab.Net forever!
    • Просмотр профиля
    • E-mail
Re: Симуляция NAND
« Ответ #5 : Сентября 06, 2016, 02:37:44 pm »
Цитировать
Цитировать
Введи задержку распространения, примерно 50 нС на элемент.
Propagation Delay Time при 5 В отнюдь не 50 нС.
А такой параметр не забыл?
Cin Average Input Capacitance Any Input
Typ=5pF
Max=7.5pF
При спараллеленных входах умножаем на 2.
https://www.fairchildsemi.com/datasheets/CD/CD4001BC.pdf

Так я же максимальный сдвоеный 15пФ и поставил на каждый вход.