"...к биполярной версии написано что диоды предотвращают жесткое насыщение транзисторов..." - задумано так:
1. Диод изначально открыт малым проходящим через него током
2. При увеличении сигнала на входе диода наступает момент, когда входной сигнал "побеждает" ток смещения через диод, и диод запирается этим самым входным сигналом.
3. Так как входное сопротивление каскада на БТ невелико, и обратный ток запертого диода (плюс токи через паразитные емкости) очень малы, то получается, что запертый диод перекрывает сигналу путь в базу транзистора. То есть, происходит ограничение силы сигнала на базе БТ.
4.
Другое дело схемы с JFET: - в исходном варианте схемы после диода стоит резистор 10 МОм (!!!) и обратно смещенный p-n переход - затвор транзистора. Получается, что утечки через запертый диод (плюс емкостная составляющая токов) соизмеримы с утечками "последиодовой" цепи, и легко попадают на затвор ПТ, т.е. реально никакого ограничения не происходит, и транзистор получает "в морду" практически весь входной сигнал, каким бы большим он ни был.
- Но: тыкаем на затвор реальным осциллографом и видим прекрасно ограниченный сигнал, как положено и задумано. Почему - да потому, что вход осциллографа 1 МОм//40 пФ прекрасно шунтирует токи утечки в землю, и картинка очень красивая.
- Однако, убрав осциллограф, получаем ничем не ограниченный сигнал на затворе. Симуляторы, где "измерительные приборы" практически идеальны и имеют входные импедансы порядка сотен ГОм (!!!), прекрасно показывают это несоответствие.
- Чтобы добиться реального ограничения, надо зашунтировать затвор ПТ (после диода) на землю резистором порядка 2 МОм, и тогда ограничение прекрасно работает.
--------------------------------
Как сырой вариант схемы и как иллюстрация "правильной" организации ограничения уровня сигнала на затворах, я бы
предложил схему (см. ссылку ниже). Кроме того, если использовать транзисторы из одной партии (т.е. с близкими параметрами), то можно установить в стоки резисторы фиксированного номинала, и выставить рабочую точку всех трех каскадов подбором делителя R17-R18, и этими же резисторами (включив вместо них потенциометр) выставлять требуемый "Bias", т.е. менять фактуру искажений.
Резисторы "дикого" номинала 10 МОм заменены на вполне распространенные 2.2 МОм, что резко уменьшит зависимость режимов от влажности, загряжнений на плате и т.п.
***
Схема выдает громадный гейн, порядка 90 дБ, который нафик не нужен и вреден. Установив триоды с бОльшим напряжением отсечки (типа BF512, например) можно привести гейн к разумной величине, да и форма сигнала на выходе становится куда как приятнее. Номиналы всех резисторов и прочих компонентов
для BF512 (и прочих ПТ с напряжением отсечки порядка 2 Вольт) остаются ТЕ ЖЕ САМЫЕ,
за исключением R18, который следует уменьшить до 6,2-18 кОм.
Здесь схема:
http://imageshack.us/photo/my-images/839/jfetvulcan1.jpg/
