Автор Тема: Транзисторы в микросхемах: спайс-модели.  (Прочитано 7659 раз)

0 Пользователей и 1 Гость просматривают эту тему.

new_man

  • Сообщений: 2053
  • GtLab.Net
    • Просмотр профиля
    • E-mail
Такая фигня: собрал в симуляторе внутреннюю схему TL431, приведенную в даташите TI. Uref получилось 1.87В. Транзисторы использовал ВС847/857. С другими моделями Uref получается где-то рядом с уже означенным. Чем-то видимо интегральные транзисторы от рассыпухи отличаются.
Так вот, можно ли где-то надыбать спайс-моделей интегральных транзисторов?

Peratron

  • Сообщений: 13579
  • GTLab - forever!
    • Просмотр профиля
    • E-mail
Re: Транзисторы в микросхемах: спайс-модели.
« Ответ #1 : Марта 27, 2017, 08:07:27 am »
Если надо - то могу порадовать правильной моделью 431 с адекватной частотной коррекцией...
Ы?
Схемотехническая мантра: титцешенкохоровицехилл. Повторять до просветления...

new_man

  • Сообщений: 2053
  • GtLab.Net
    • Просмотр профиля
    • E-mail
Re: Транзисторы в микросхемах: спайс-модели.
« Ответ #2 : Марта 27, 2017, 08:25:20 am »
Вряд ли мне это поможет, но Ы.

Peratron

  • Сообщений: 13579
  • GTLab - forever!
    • Просмотр профиля
    • E-mail
Re: Транзисторы в микросхемах: спайс-модели.
« Ответ #3 : Марта 27, 2017, 08:44:47 am »
Куда делась приклеенная сверху тема по библиотекам в технологиях?!   :o

Администраторы, ау!
Схемотехническая мантра: титцешенкохоровицехилл. Повторять до просветления...

Peratron

  • Сообщений: 13579
  • GTLab - forever!
    • Просмотр профиля
    • E-mail
Re: Транзисторы в микросхемах: спайс-модели.
« Ответ #4 : Марта 27, 2017, 09:15:27 am »
Докинул модель в теме спайс-библиотек в технологиях.

Есть ещё у меня неправильная модель - она некорректированная по частотке/быстродействию.

Использовал обе для моделирования усилителей - неправильная даёт бесконечную полосу и на реальный усилитель не похожа.
Эта модель даёт нечто, похожее на реальность. Во всяком случае я с осторожностью, но доверяю ей...
Схемотехническая мантра: титцешенкохоровицехилл. Повторять до просветления...

new_man

  • Сообщений: 2053
  • GtLab.Net
    • Просмотр профиля
    • E-mail
Re: Транзисторы в микросхемах: спайс-модели.
« Ответ #5 : Марта 27, 2017, 10:31:13 am »
Цитировать
Докинул модель в теме спайс-библиотек в технологиях.
Нет, это все-таки не то.
Я хочу наконец узнать, какова линейность этой микросхемы в режиме усилителя. Поэтому я набрал в спайсе полную схему из даташита.



А те модели, что можно найти в сети (и твоя тоже) - это все представления на том или ином уровне абстракции. Я бы сказал жестче: на том или ином уровне пренебрежения реальностью.
Вот, например, модель, используемая в LTspice (библиотека EXTRA):



Использованы идеальные модели стабилитронов, идеальные управляемые источники. Понятно, что линейность такой модели будет запредельной. Но это не есть реальность!

Peratron

  • Сообщений: 13579
  • GTLab - forever!
    • Просмотр профиля
    • E-mail
Re: Транзисторы в микросхемах: спайс-модели.
« Ответ #6 : Марта 27, 2017, 10:44:18 am »
Цитировать
Я хочу наконец узнать, какова линейность этой микросхемы в режиме усилителя.
Не проблема померять это экспериментально - комп + звуковуха + софт = отличный спектроанализатор с отличным звуковым генератором.
Схемотехническая мантра: титцешенкохоровицехилл. Повторять до просветления...

new_man

  • Сообщений: 2053
  • GtLab.Net
    • Просмотр профиля
    • E-mail
Re: Транзисторы в микросхемах: спайс-модели.
« Ответ #7 : Марта 27, 2017, 10:59:38 am »
Цитировать
Не проблема померять это экспериментально - комп + звуковуха + софт = отличный спектроанализатор с отличным звуковым генератором.
После кончины Юльки я уже этим не занимаюсь. Лениво все переделывать под другую карту.

И вообще все лениво.   [smiley=cry.gif]

Peratron

  • Сообщений: 13579
  • GTLab - forever!
    • Просмотр профиля
    • E-mail
Re: Транзисторы в микросхемах: спайс-модели.
« Ответ #8 : Марта 27, 2017, 11:07:46 am »
По всем соображениям, с линейностью у 431 должно быть весьма неплохо - поскольку выходной каскад однотактный А.

Прикидка на стандартных транзисторах в этом плане вполне аутентична - несовпадение опорного потенциала тут не имеет существенного значения.
Схемотехническая мантра: титцешенкохоровицехилл. Повторять до просветления...

OlegFX

  • Сообщений: 5097
    • Просмотр профиля
Re: Транзисторы в микросхемах: спайс-модели.
« Ответ #9 : Марта 27, 2017, 12:37:21 pm »
new_man, тут вот какое дело. Могу поискать (но не хотелось бы, поверьте на слово) точную цитату какого-то очень известного тамошнего спеца (кажется, Боб Добкин) о том, что принципиальная схема чипа весьма приблизительно отражает действительное его устройство. Например, в интегральной схемотехнике есть такое понятие как "величина транзистора". Нарисованы два транзистора, мы полагаем, что они одинаковы, но на самом деле один из них по площади в несколько раз больше другого. Т.е. плотность тока другая, другое падение на переходах - так, например, масштабируются токовые зеркала, формируются источники опорного напряжения и т.п. Не резисторами, как в обычной схемотехнике, а именно величиной транзисторов. Если попробовать перевести это в "наш мир", то зеркала можно масштабировать разным кол-вом параллельных транзисторов - можете попробовать в симуляторе. Но на схемах из даташитов это никак не отображено. (Впрочем, в TL431 в зеркалах нарисованы резисторы, вижу). Плюс, многоэмиттерные, многоколлекторные транзисторы и ещё много всякого такого. Если бы это было возможно, то существовали бы "самопальные" уточнённые модели микросхем, но такого нет, по крайней мере, мне это никогда не попадалось. В отличие от ламп, транзисторов и т.п. Забейте.
« Последнее редактирование: Марта 27, 2017, 12:55:22 pm от olegfx »

Rst7

  • Сообщений: 1619
  • Мимо проходил...
    • Просмотр профиля
    • E-mail
Re: Транзисторы в микросхемах: спайс-модели.
« Ответ #10 : Марта 27, 2017, 05:20:02 pm »
На самом деле гугль все знает. Вот схема, снятая с кристалла с указанием параметра area (это тот самый размер транзисторов)
"Практика выше (теоретического) познания, ибо она имеет не только достоинство всеобщности, но и непосредствен

new_man

  • Сообщений: 2053
  • GtLab.Net
    • Просмотр профиля
    • E-mail
Re: Транзисторы в микросхемах: спайс-модели.
« Ответ #11 : Марта 27, 2017, 06:07:35 pm »
Это все хорошо, но спайс-моделей как не было, так и нет.

Rst7

  • Сообщений: 1619
  • Мимо проходил...
    • Просмотр профиля
    • E-mail
Re: Транзисторы в микросхемах: спайс-модели.
« Ответ #12 : Марта 27, 2017, 06:50:46 pm »
Цитировать
Это все хорошо, но спайс-моделей как не было, так и нет.

Спайс-моделей чего? Транзисторов? Так вот теперь ставите в качестве основной модели, скажем, тот же BC817/BC807. Только параметр area оставляете.
"Практика выше (теоретического) познания, ибо она имеет не только достоинство всеобщности, но и непосредствен

Peratron

  • Сообщений: 13579
  • GTLab - forever!
    • Просмотр профиля
    • E-mail
Re: Транзисторы в микросхемах: спайс-модели.
« Ответ #13 : Марта 28, 2017, 06:16:04 am »
ИМХО, тему стоит перекинуть в основной раздел (в технологии).

Админы - ау!
Схемотехническая мантра: титцешенкохоровицехилл. Повторять до просветления...

Peratron

  • Сообщений: 13579
  • GTLab - forever!
    • Просмотр профиля
    • E-mail
Re: Транзисторы в микросхемах: спайс-модели.
« Ответ #14 : Марта 28, 2017, 06:18:51 am »
@ Rst7

Респект за редкую инфу.

ХИНТ: хорошая модель 431 реально интересна и в целом в аудио-домене, и в гитаристике конкретно.
Схемотехническая мантра: титцешенкохоровицехилл. Повторять до просветления...

new_man

  • Сообщений: 2053
  • GtLab.Net
    • Просмотр профиля
    • E-mail
Re: Транзисторы в микросхемах: спайс-модели.
« Ответ #15 : Марта 28, 2017, 06:43:09 am »
Цитировать
...ставите в качестве основной модели, скажем, тот же BC817/BC807. Только параметр area оставляете.
Но в спайс-модели нет параметра area!
Скорее всего нужно играть сопротивлениями переходов RB, RC, RE, а также током насыщения IS; это те параметры, которые непосредственно связаны с площадью транзистора. Но какому значению площади соответствуют какие значения параметров - загадка.

Впрочем, я согласен с Ператроном, на нелинейность эти вариации не будут оказывать существенного влияния.
Я подставлял в схему разные транзисторы, как из библиотеки, так и из спайс-моделей других микросхем. Vref=2.5V не удалось достигнуть ни в одном случае, максимум, что получилось - 2.2V. Во всех случаях оценивалось и THD в одной и той же схеме включения. Разница была не в разы, а на проценты.

Вообще THD пляшет в районе 0.05-0.1% при размахе сигнала на катоде 1-1.5В.

Rst7

  • Сообщений: 1619
  • Мимо проходил...
    • Просмотр профиля
    • E-mail
Re: Транзисторы в микросхемах: спайс-модели.
« Ответ #16 : Марта 28, 2017, 07:23:32 am »
Цитировать
Цитировать
...ставите в качестве основной модели, скажем, тот же BC817/BC807. Только параметр area оставляете.
Но в спайс-модели нет параметра area!

Да ну? ;)

Цитировать
The SPICE model of a bipolar transistor includes a variety of parasitic circuit elements and some
process related parameters in addition to the elements previously discussed in this chapter. The
syntax of a bipolar transistor incorporates the parameters a circuit designer can change as shown
below:
BJT syntax
Q<name> <collector node> <base node> <emitter node> [<substrate node>] <modelname>
+ [<area>]
.MODEL <modelname> NPN(BF=<value> BR=<value> IS=<value> CJE=<value>
+ CJC=<value> VJE=<value> VJC=<value> VAF=<value> VAR=<value>
+ NF=<value> NR=<value>)
"Практика выше (теоретического) познания, ибо она имеет не только достоинство всеобщности, но и непосредствен

new_man

  • Сообщений: 2053
  • GtLab.Net
    • Просмотр профиля
    • E-mail
Re: Транзисторы в микросхемах: спайс-модели.
« Ответ #17 : Марта 28, 2017, 07:35:01 am »
Цитировать
.model BC817-25 NPN(IS=9.198E-14 NF=1.003 ISE=4.468E-16 NE=1.65 BF=338.8 IKF=0.4913 VAF=107.9 NR=1.002 ISC=5.109E-15 NC=1.071 BR=29.48 IKR=0.193 VAR=25 RB=1 IRB=1000 RBM=1 RE=0.2126 RC=0.143 XTB=0 EG=1.11 XTI=3 CJE=3.825E-11 VJE=0.7004 MJE=0.364 TF=5.229E-10 XTF=219.7 VTF=3.502 ITF=7.257 PTF=0 CJC=1.27E-11 VJC=0.4431 MJC=0.3983 XCJC=0.4555 TR=7E-11 CJS=0 VJS=0.75 MJS=0.333 FC=0.905 Vceo=45 Icrating=500m mfg=NXP)
Где здесь area?

Rst7

  • Сообщений: 1619
  • Мимо проходил...
    • Просмотр профиля
    • E-mail
Re: Транзисторы в микросхемах: спайс-модели.
« Ответ #18 : Марта 28, 2017, 07:45:44 am »
Цитировать
Цитировать
.model BC817-25 NPN(IS=9.198E-14 NF=1.003 ISE=4.468E-16 NE=1.65 BF=338.8 IKF=0.4913 VAF=107.9 NR=1.002 ISC=5.109E-15 NC=1.071 BR=29.48 IKR=0.193 VAR=25 RB=1 IRB=1000 RBM=1 RE=0.2126 RC=0.143 XTB=0 EG=1.11 XTI=3 CJE=3.825E-11 VJE=0.7004 MJE=0.364 TF=5.229E-10 XTF=219.7 VTF=3.502 ITF=7.257 PTF=0 CJC=1.27E-11 VJC=0.4431 MJC=0.3983 XCJC=0.4555 TR=7E-11 CJS=0 VJS=0.75 MJS=0.333 FC=0.905 Vceo=45 Icrating=500m mfg=NXP)
Где здесь area?

Да не тут же. Там, где у Вас транзистор используется Qтакой-то К Б Э ..... area=2.5 например. Все эти дополнительные параметры дописываются после имени модели в месте применения.
"Практика выше (теоретического) познания, ибо она имеет не только достоинство всеобщности, но и непосредствен

new_man

  • Сообщений: 2053
  • GtLab.Net
    • Просмотр профиля
    • E-mail
Re: Транзисторы в микросхемах: спайс-модели.
« Ответ #19 : Марта 28, 2017, 07:55:00 am »
Не понимаю!!!!
 [smiley=cry.gif] [smiley=cry.gif]