Ты что, прикалываешься?
Я - нет. А ты - не понимаешь.
83 дБ - это будет такая глубина ООС при даташитном (штатном) включении этой МС со 100% ООС.
ОООС - не единственный способ снижения усиления до нужной в каждом конкретном практическом случае величины. К примеру, ты гейн в хайгеновой ламповой голове регулируешь вовсе не при помощи ОООС.
Та самая ООС, которая "губит звук"
Господи, как же всё запущено.

Губит звук только одна из возможных форм ООС - а конкретно ОООС. И то - не всегда, а лишь при недостаточной величине произведения усиления на ширину полосы...
При чём здесь "у меня получилось на рассыпухе"?
При том, что не всё, что имеет усиление 83 дБ - есть ОУ.
А ты что не в курсе, что многие даже не очень современные ОУ имеют ОДИН усилительный каскад - например, AD817, AD826, AD829, AD8021, AD797?
Ответ неверный - в рамках заданных параметров (входные и выходные токи/напряжения, сопротивления нагрузки и т.д, а, главное, сдвиги уровня) построение однокаскадного УПТ невозможно по определению.
Потому схема
ОПЕРАЦИОННОГО УСИЛИТЕЛЯ фактически единственная: дифференциальный каскад УН + инвертирующий УН + усилитель тока/мощности.
Только в такой конфигурации можно разойтись с требуемым усилением, рабочими точками и коррекцией.
INA103 категорически не соответствует этому облику:
- он не работает с постоянным током (точней, его можно заставить это делать - но весьма через задницу).
- у него нет общей ОООС.
- вместо дифф-пары на входе, используется разделённое усиление по каждой фазе.
- усиление регулируется в дифференциальном усилителе, а не в общей ОООС.
Про линейный режим выходов я уже сказал - хотя и это является фундаментальным отличием.
Вот, откуда ты это знаешь? Приведи источник своих данных - что же там на самом деле, а не в "коммерческом документе".
Да вот так уж случилось - что узнал. И напрямую использую особенности внутренней схемотехники. К примеру, для создания начального смещения в детекторе компрессорной версии 2013 (MLB-2013).
И усиление задаю совсем не теми цепями, которые рекомендуются в мануалах...
ХИНТ: померяй ка разность статических напряжений (рабочие точки) между входами и точками ОС в каждой из половинок парафазного усилителя. А так же, и на выходе оного - относительно земли...
Только, разумеется, не в симуляторе - а в живой инашке.
А то твои аргументы - это сплошное "там всё специальное, особое" (а какое - не говорим)
А разве у меня не может быть прав хотя б на какое то ноу-хау? :o
Мне эта тема досталась потом и кровью. Потому моё знание и стоит дорогого.
Тем более, что эти нюансы именно INA103 не являются единственным и незаменимым аргументом - есть общие законы функционирования звуковых схем, потому их вполне достаточно для аргументированной дискуссии.
Сначала разберись с этими законами - потом станет понятней и про 103.
Про шумы. Твои аргументы просто смехотворны. Никаких цифр, никаких формул, никаких фактов. Вместо этого снова рассуждения "про особость и специальность, помноженные на "много тонких нюансов". Плюс, те же самые "я выпускаю то-то и то-то", а я, надо полагать, даташиты читаю ради развлечения и общения на форумах.
Аргументы есть - только ты не хочешь их воспринимать. А я тебе не школьный учитель, что б знания вколачивать против желания.
Что касается моих приборов - то не я им судья, а толпа, становящаяся в очередь.
а я, надо полагать, даташиты читаю ради развлечения и общения на форумах.
А тут ты сам себе судья.
Это же надо, логика - у INA103 1нВ/к_Гц "настоящие", потому, что он "специализированный", а 0,5нВ у 2SB737 - "сферический конь", да ещё и "строго говоря"!
Да, именно так - параметры чипа, ориентированного на применение в качестве микрофонного усилителя оптимизируются именно для этого применения - причём, в комплексе (с учётом типичных для этого применения импедансов источника).
Параметры шума рассыпушных транзисторов указываются чёрт знает для каких режимов - весьма далёких от тех, что имеются в конкретной задаче.
Более того - рассыпушные транзисторы имеют слишком большой запас по критическим параметрам - току, напряжению, мощности. И за это приходится платить заметным ухудшением конкретных парметров, важных именно в специфическом применении.
В пику этому, транзисторная структура, включённая в микросхему, эксплуатируется при строго установленных рабочих параметрах и потому есть возможность оптимизировать её именно под эти значения, воспользовавшись освобождённым ресурсом для улучшения именно главного функционального параметра.
Ну, и наконец не забудь, что шумовые параметры микросхемы нормируются целиком для всей микросхемы - а каков будет шум рассыпушного транзистора в полной схеме предусилителя, это очень большой вопрос (к схеме).
А для другого они что, будут другими?
Разумеется - потому, что в конкретной схеме и с конкретным источником сигнала они оказываются существенно другими.
Кстати, если посмотреть даташиты на 2SB737, 2SD786, 2SA1316, 2SC3329, так и они тоже имеет милое твоему сердцу "специальное предназначение" - первые каскады хэд ампов с МС (с подвижной катушкой) - а у них уровень сигнала на 1,5...2 порядка меньше, чем с микрофона.
Здоровье на...
Эти полупроводниковые приборы разработаны в эпоху совсем других технологий и старше на пару десятков лет. Со всеми вытекающими последствиями...
Да и шумы этих самых хидампов как раз на полтора-два порядка выше, чем шумы нормального микрофонного тракта. 60 дБ - это уже просто праздник какой то для грам-записи...