В добавление к графикам имею сказать.
Что можно высосать из представленных в #65 графиков?
Откроем второй график, в котором почти все действо происходит в 4-м квадранте. Кстати, в справочниках эта тонкость, то есть заход графика тока базы в 4-й квадрант, никак не отражена.
Итак, у транзистора существует обратный ток коллектора. Это постоянный фактор, почти не зависящий от режима работы. Его можно снять с графика как ординату в точке А. В данном примере это 15 мкА. При включении транзистора в схеме ОЭ это тот ток, который втекает в базу транзистора, когда та соединена с эмиттером через нулевое сопротивление.
Если теперь это сопротивление увеличивать, обратный ток создаст на нем падение напряжения, которое будет приложено к переходу Б-Э транзистора, смещая его в прямом направлении. Отличное от нуля напряжение Б-Э вызовет появление прямого тока базы, противоположного по направлению Iko. Ток через базовый резистор, равный алгебраической сумме Iko и Ib, будет уменьшаться.
Тут важно понимать, что суммирование токов происходит в кристалле, а во внешнюю цепь, в резистор, выплескивается уже его результат.
Другим результатом появления прямого тока базы будет появление тока коллектора, равного Вст*Ib.
Возьмем на характеристике какую-нибудь точку М, например с координатами 120мВ и -10мА (почти на кривой, не будем сильно придираться к погрешности расположения). Проведем из начала координат линию через эту точку. Тангенс угла наклона этой линии даст сопротивление Б-Э, необходимое для попадания в данный режим. R= 120мВ/10мА = 12Ком.
Тангенс угла наклона касательной в этой точке даст входное сопротивление транзистора в данном режиме для малого сигнала, примерно 6,5КОм. Разность ординат точек М и А есть прямой ток базы в данном режиме, т.е. 5мкА. Ток коллектора получается умножением 5мкА на Вст, для данного транзистора это было около сотни, следовательно Ic=0,5мА.
При увеличении база-эмиттерного резистора рабочая точка смещается по кривой правее, пока не достигнет предельной точки А. Здесь сопротивление резистора бесконечно велико, ток через него отсутствует, следовательно Ib и Ico численно равны. Это пограничный режим "с оторванной базой", Ib в нем наибольшее из возможных при таком способе базового смещения. Дальнейшего увеличения Ib и Ic можно добиться только с помощью смещения базы от источника питания.
Вот как-то так...
